IRLR130A |
RFQ for IRLR130A |
![]() |
| Technical/Catalog Information | IRLR130ATM |
| Vendor | Fairchild Semiconductor |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Mounting Type | Surface Mount |
| FET Polarity | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 13A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 6.5A, 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 755pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 24nC @ 5V |
| Package / Case | DPak, SC-63, TO-252 (2 leads+tab) |
| FET Feature | Standard |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | IRLR130ATM IRLR130ATM |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| IRLR130A | - | TO-252 | 05+ |
Features |
| Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceImproved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current: 10mA (Max.) @ VDS = 100VLower RDS(ON): 0.101W (Typ.) |
|
Symbol |
Characteristic |
Value |
Units | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VDSS |
Drain-to-Source Voltage |
100 |
V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ID |
Continuous Drain Current (TC=25°C) |
13 |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Continuous Drain Current (TC=100°C) |
8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IDM |
Drain Current-Pulsed (1) |
45 |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VGS |
Gate-to-Source Voltage |
±20 |
V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EAS |
Single Pulsed Avalanche Energy (2) |
225 |
mJ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IAR |
Avalanche Current (1) |
13 |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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EAR |
Repetitive Avalanche Energy (1) |
4.6 |
mJ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt (2) |
6.5 |
V/ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PD |
Total Power Dissipation (TA=25°C)* |
2.5 |
W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Total Power Di
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